专访埃里克森:没外援比赛将很难踢 徐亮无所不能
iDEAL与电力系统专家Richardson Electronics, Ltd.签署SuperQ MOSFET技术合作伙伴协议
- 继推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此举标志着自 25 多年前超级结技术以来，硅 MOSFET 架构的首次重大进步。宾夕法尼亚州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家专注于实现突破性效率的无晶圆厂功率半导体公司，该公司宣布将与电力和射频专家 Richardson Electronics 合作。根据该协议，iDEAL 将获得 Richardson Electronics 的设计团队和销售专家的支持，以扩展其基于公司新型专利、最先进 SuperQ 技术
- 关键字： iDEAL Richardson SuperQ MOSFET
罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司（以下简称“BTET”）、一汽丰田汽车有限公司（以下简称“一汽丰田”）联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科
- 关键字： 罗姆 SiC MOSFET 丰田 纯电车型
东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体
- 关键字： 东芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
工程师必看！从驱动到热管理：MOSFET选型与应用实战手册
- MOSFET因其独特的性能优势，已成为模拟电路与数字电路中不可或缺的元件，广泛应用于消费电子、工业设备、智能手机及便携式数码产品中。其核心优势体现在三个方面：驱动电路设计简化，所需驱动电流远低于BJT，可直接由CMOS或集电极开路TTL电路驱动；开关速度优异，无电荷存储效应，支持高速工作；热稳定性强，无二次击穿风险，高温环境下性能表现更稳定。这些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的场景中表现尤为突出。近年来，随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用MOSFET产品的行业在近几年来得到了快速的发
- 关键字： MOSFET
内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块被SMA的太阳能系统采用
- 全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
- 关键字： 罗姆 ROHM SiC MOSFET 功率模块 太阳能
清纯半导体和微碧半导体推出第3代SiC MOSFET产品
- 近日，清纯半导体和VBsemi（微碧半导体）分别推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品平台，标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm2，处于国际领先水平。source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rs
- 关键字： 清纯半导体 微碧半导体 第3代 SiC MOSFET
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